2021.08.06 九州大学など全無機型ペロブスカイト抵抗変化メモリーの開発成功
(a) CsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットを用いた発光メモリーデバイス (b) サイズの異なる2種類のCsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットLEMのELスペクトル(λ ₁=532nmとλ ₂=515nm)(出所:九州大学)
(a) CsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットを用いた発光メモリーデバイス (b) サイズの異なる2種類のCsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットLEMのELスペクトル(λ ₁=532nmとλ ₂=515nm)(出所:九州大学)