2019.12.12 【新技術】東大など全固体リチウム電池と同じ構造のメモリー素子を開発　超低消費エネルギーと多値記録を実現

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（図2）３値記録メモリーとしての動作の状況（黒線が印加電圧、曲線が開放端電圧を表しており、1.1V未満の領域を低電圧状態、1.1－1.8Vを中電圧状態、1.8V超過を高電圧状態と定義している）

（図2）３値記録メモリーとしての動作の状況（黒線が印加電圧、曲線が開放端電圧を表しており、1.1V未満の領域を低電圧状態、1.1－1.8Vを中電圧状態、1.8V超過を高電圧状態と定義している）

（図1）本研究で作製した電圧記録型メモリー素子の概略図（a）と写真（b）
（図2）３値記録メモリーとしての動作の状況（黒線が印加電圧、曲線が開放端電圧を表しており、1.1V未満の領域を低電圧状態、1.1－1.8Vを中電圧状態、1.8V超過を高電圧状態と定義している）

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