2023.01.05 【2023年注目の先端技術特集】優れた保持性、耐久性、ゲート長スケーリングを実現したコンデンサーレスIGZOベースDRAMセルデバイスアーキテクチャーの改善とIGZOトランジスタの信頼性に関する新たな視点

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【図2】異なるゲート誘電体を用いたIGZO TFT（膜厚12nmのアモルファスIGZO膜）の故障までの時間。ゲート誘電体の最適化により、図に示すように、動作条件において20日程度から1年程度まで大幅に寿命を向上させることが可能となった。最終的な目標は5年です（2021年IEDMにて発表）

【図2】異なるゲート誘電体を用いたIGZO TFT（膜厚12nmのアモルファスIGZO膜）の故障までの時間。ゲート誘電体の最適化により、図に示すように、動作条件において20日程度から1年程度まで大幅に寿命を向上させることが可能となった。最終的な目標は5年です（2021年IEDMにて発表）

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【図1】（a）酸素トンネルを持つゲートラスト構造で、ゲート長14nmの単一IGZOトランジスタの模式図と（b）TEM像（2021 IEDMで発表されたもの）
【図1】（a）酸素トンネルを持つゲートラスト構造で、ゲート長14nmの単一IGZOトランジスタの模式図と（b）TEM像（2021 IEDMで発表されたもの）
【図2】異なるゲート誘電体を用いたIGZO TFT（膜厚12nmのアモルファスIGZO膜）の故障までの時間。ゲート誘電体の最適化により、図に示すように、動作条件において20日程度から1年程度まで大幅に寿命を向上させることが可能となった。最終的な目標は5年です（2021年IEDMにて発表）

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