2023.01.05 【2023年注目の先端技術特集】優れた保持性、耐久性、ゲート長スケーリングを実現したコンデンサーレスIGZOベースDRAMセルデバイスアーキテクチャーの改善とIGZOトランジスタの信頼性に関する新たな視点

【図1】(a)酸素トンネルを持つゲートラスト構造で、ゲート長14nmの単一IGZOトランジスタの模式図と(b)TEM像(2021 IEDMで発表されたもの)

高密度3D DRAMの実現に向けて

 昨年の国際電子デバイス会議(2020 IEDM)にて、imecは初めて、従来のDRAMの改良手法として、インジウム・ガリウム・ジンク・オキサイド(IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の双方を実装し、ストレージコンデンサーを使用しない新しいセルアーキテクチャーとなる2T0C(2トランジスタ/0コンデンサー)を発表。

 この新しい2トランジスタ/0コン...  (つづく)