2020.06.04 【パワーデバイス技術特集】名古屋工業大学がパワーデバイス材料SiCの表面への電流の流れ数値化に成功
［図1］高耐圧SiCパワーデバイス構造の一例（電流を運ぶ電子と正孔が表面に向かい、表面再結合という現象で電子と正孔が消滅し、本来パワーデバイスの外に流したい電流が失われる。表面再結合現象は避けられないが、それを数値化することで、パワーデバイス構造の設計を最適化できる）
［図1］高耐圧SiCパワーデバイス構造の一例（電流を運ぶ電子と正孔が表面に向かい、表面再結合という現象で電子と正孔が消滅し、本来パワーデバイスの外に流したい電流が失われる。表面再結合現象は避けられないが、それを数値化することで、パワーデバイス構造の設計を最適化できる）
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株式会社電波新聞社 代表取締役 平山 勉
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