2021.02.22 162層3次元フラッシュ開発キオクシアと米WD、書き込み速度前世代品比2.4倍

　キオクシア（旧東芝メモリ）と米ウエスタンデジタル（WD）はこのほど、データを保存するメモリー素子を垂直に162層積層した3次元フラッシュメモリーを開発したと発表した。革新的技術を導入することで前世代（112層）に比べ、ダイサイズを40％削減するとともに、書き込み性能を2倍以上向上させることに成功した。

ダイサイズ4割減　

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2025年6月7日

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