2022.08.11 東芝D＆S／東芝が世界初、ダブルゲート構造4500V耐圧の逆導通型IEGT

左から従来のシングルゲートと開発したホール制御型ダブルゲートの構造、今回試作したダブルゲート構造IEGT

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）と東芝は、電力の制御などに用いられるパワー半導体で、世界で初めてのダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の逆導通型IEGT（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ）を開発した。この技術により、従来のゲート制御を行わないシングルゲート構造と比較して、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失（スイッチング損失）を24％低減できることを確認した。

　パワー半導体は、あらゆる電気機器の...　　(つづく)