2021.02.19 162層3次元フラッシュ開発キオクシアと米WD

書き込み速度2.4倍に高速化

　キオクシア（旧東芝メモリ）と米ウエスタンデジタル（WD）はこのほど、データを保存するメモリー素子を垂直に162層積層した3次元フラッシュメモリーを開発したと発表した。革新的技術を導入することで前世代（112層）に比べダイサイズを40%削減するとともに、書き込み性能を2倍以上向上させることに成功し...　　(つづく)