2023.11.20 半導体熱研究所が新ダイボンド技術を開発　SiCパワー半導体の実装に

熱応力対応層（芯材Al、芯材Ag）などからなる熱伝導性シート使用の新ダイボンド技術図

　半導体熱研究所（京都市中京区、福井彰代表）は、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の実装に適した新ダイボンド技術を開発した（特許番号第6803106号、国際公開第2022／059286号）。

　安価なアルミニウム（Al）熱応力緩和芯材に銀スズ（AgSn）層を形成した厚さ0.1ミリメートルの熱伝導性シートを使用する独自開発のダイボンド技術で、SiCパワー半導体と銅（Cu）電極の接合に用いる。

　Al熱応力...　　(つづく)