2021.07.21 第4世代10ナノメートル級開発競争本格化DRAM市場、EUV露光技術の導入進む
SKハイニックスの1α世代DRAM
半導体メモリーのDRAM市場では、回路線幅10ナノメートル級で最先端となる第4世代（1αナノメートル）の開発競争が本格化している。米マイクロン・テクノロジー、韓国SKハイニックスに続き、業界トップの韓国サムスン電子も年内に量産開始の予定だ。韓国勢は1α世代からEUV露光技術を本格導入し、競争力強化につなげる。
DRAMは情報を保持する記憶素子。高性能、大容量、小型、低消費電力化への市場ニーズに対応するとともに、生産性向上を実... (つづく)
