2020.08.26 変調帯域40ギガヘルツを実現京セミがInGaAsフォトダイオード

KP-H高速フォトダイオード KPDEH12L-CC1C

　京都セミコンダクターは、データセンター（DC）内、DC間で用いられる4値変調方式（PAM4）を利用する400ギガbps伝送システム向けに、40ギガヘルツと広い変調帯域を有するインジウムガリウムヒ素（InGaAs）フォトダイオードKP-H　KPDEH12L-CC1Cを開発した。11月に量産開始を予定している。

　本格的な第5世代高速通信規格5G時代、またその先に向けて、拡大を続ける伝送システムの高速化、大容量化への要求に応える。...　　(つづく)