2021.01.07 【2021年注目の先端技術特集 】JSTが 窒化ガリウムでMEMS振動子開発
![[図2]GaN系MEMS振動子の座屈モードの温度依存性。左:周波数温度係数(TCF)。最高で約マイナス5ppm/Kと、低いTCFが得られた。右:品質係数(Q値)。10万以上と、GaN系MEMS振動子としては最高値を達成した。温度上昇に伴う変化が少なく、600ケルビンまで上昇しても悪化しなかった](https://dempa-digital.com/wp-content/uploads/2021/01/MN20210107T455B0600010_G0107TGI80650THV-scaled.jpg)
[図2]GaN系MEMS振動子の座屈モードの温度依存性。左:周波数温度係数(TCF)。最高で約マイナス5ppm/Kと、低いTCFが得られた。右:品質係数(Q値)。10万以上と、GaN系MEMS振動子としては最高値を達成した。温度上昇に伴う変化が少なく、600ケルビンまで上昇しても悪化しなかった
[図2]GaN系MEMS振動子の座屈モードの温度依存性。左:周波数温度係数(TCF)。最高で約マイナス5ppm/Kと、低いTCFが得られた。右:品質係数(Q値)。10万以上と、GaN系MEMS振動子としては最高値を達成した。温度上昇に伴う変化が少なく、600ケルビンまで上昇しても悪化しなかった