［図1］両持ち梁型GaN系MEMS振動子の作製。開発したGaN結晶膜で両持ち梁型のMEMS振動子を作製した。Si基板上GaN薄膜成長層に、スピンコーティングでフォトレジストを塗布し、レーザー描画でマスクを作製。さらにドライエッチングでGaNとAlNを削り取り、化学エッチングでフォトレジストを除去し、Siを離型した