2021.04.01 【半導体材料特集】大陽日酸の高濃度H₂O₂ガス供給装置（Peroxidizer®）を用いたALD成膜プロセス

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［図2］GPC a function of temperature（Al 2O 3）

［図2］GPC a function of temperature（Al 2O 3）

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RASIRC Peroxidizer®
［図1］ALD実験のプロセス条件
［図2］GPC a function of temperature（Al 2O 3）
［図3］GPC as a function of temperature［TiO 2］
［図4］WER evaluation（TiO 2）

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