2021.04.01 【海外ニュース】STが1200V動作の絶縁型ゲート・ドライバー

STGAP2SiCSゲートドライバー

　STマイクロエレクトロニクス（ST）は、絶縁型ゲート・ドライバー「STGAPファミリー」に新製品であるSTGAP2SiCSを追加した。同製品は、SiCパワー MOSFETを安全に制御するために最適化され、最大1200Vの高電圧レールで動作する。

　最大26Vのゲート駆動電圧を生成でき、減電圧ロックアウト（UVLO）のしきい値が15.5Vと高いため、SiCパワーMOSFETのターンオン条件を満たす。電源電圧の低下に伴って駆動電...　　(つづく)