2021.05.20 【新技術】 GaNとInGaNで構成の多重量子井戸構造半導体大阪大、京都大など光に対する複雑な高速応答解明に成功
［図1］InGaN／GaN構造の光励起によるテラヘルツ放射の様子（左）とその波形（右）。時間とともに様々に変化するテラヘルツ波放射が確認される
［図1］InGaN／GaN構造の光励起によるテラヘルツ放射の様子（左）とその波形（右）。時間とともに様々に変化するテラヘルツ波放射が確認される
