2021.05.20 【新技術】 GaNとInGaNで構成の多重量子井戸構造半導体大阪大、京都大など光に対する複雑な高速応答解明に成功

[図1]InGaN/GaN構造の光励起によるテラヘルツ放射の様子(左)とその波形(右)。時間とともに様々に変化するテラヘルツ波放射が確認される

概  要

 大阪大学大学院工学研究科のアブドゥル マナンさん(博士後期課程)、大阪大学レーザー科学研究所のバクシカン フィルチト レニ)特任研究員、山原滉太さん(当時:大阪大学大学院工学研究科博士前期課程修了)、村上博成准教授、斗内政吉教授および京都大学大学院 エネルギー科学研究科 川山巌准教授、独国・ブラウンシュヴァイク工科...  (つづく)