2021.05.20 【新技術】 GaNとInGaNで構成の多重量子井戸構造半導体大阪大、京都大など光に対する複雑な高速応答解明に成功

［図1］InGaN／GaN構造の光励起によるテラヘルツ放射の様子（左）とその波形（右）。時間とともに様々に変化するテラヘルツ波放射が確認される

概　　要

　大阪大学大学院工学研究科のアブドゥル マナンさん（博士後期課程）、大阪大学レーザー科学研究所のバクシカン　フィルチト　レニ）特任研究員、山原滉太さん（当時：大阪大学大学院工学研究科博士前期課程修了）、村上博成准教授、斗内政吉教授および京都大学大学院　エネルギー科学研究科　川山巌准教授、独国・ブラウンシュヴァイク工科...　　(つづく)