2021.06.25 【支える半導体製造】日本電子タクト時間を大幅短縮、微細化にマルチビーム描画装置
マルチビーム描画装置「MBMW-101」はビーム径が20ナノメートル。20ナノメートルと別サイズ（10ナノメートルなど）を選択でき、自動切り替えが可能な「201」もある
半導体の回路線幅は現在3ナノメートルを視野に開発が進む。さらなる微細化追求に対応し、ウエハー上のフォトレジスト（感光材）膜にマスクパターンを転写する露光プロセスにEUV（極端紫外線）露光装置の活用が求められている。
日本電子のマルチビーム描画装置「MBMWシリーズ」は、EUVを当てて回路を転写する工程でフォトマスクに電子ビームでパターンを描画する。描画時間の短縮要求に応え、先端半導体の製造で今後主流になると期待されている。<... (つづく)
