2021.07.12 韓国SKハイニックスがLPDDR4量産開始1αナノメートル、EUV露光技術採用
EUV露光技術を用いた1αナノメートルDRAM
【ソウル支局】韓国のSKハイニックスは12日、第4世代10ナノメートルプロセス技術「1αナノメートル」およびEUV（極端紫外線）露光技術を使用したLPDDR4モバイルDRAMの量産を開始したと発表した。最先端プロセスを用いることで前世代1zナノメートルに比べて生産効率が25％向上。4266メガビット秒の高速転送レートで20％の低消費電力を実現した。
最先端のDRAM生産は現在、回路線幅10ナノメートル世代での開発競争が激化し... (つづく)
