2021.08.06 九州大学など全無機型ペロブスカイト抵抗変化メモリーの開発成功

（a） CsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットを用いた発光メモリーデバイス　（b） サイズの異なる2種類のCsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットLEMのELスペクトル（λ ₁＝532nmとλ ₂＝515nm）（出所：九州大学）

（a） CsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットを用いた発光メモリーデバイス　（b） サイズの異なる2種類のCsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットLEMのELスペクトル（λ ₁＝532nmとλ ₂＝515nm）（出所：九州大学）

（a） CsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットを用いた発光メモリーデバイス　（b） サイズの異なる2種類のCsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットLEMのELスペクトル（λ ₁＝532nmとλ ₂＝515nm）（出所：九州大学）

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