2021.10.07 【新技術】シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発NICTと産総研、名大が世界で初めて成功

【図1】（a）マイクロ波共振器と量子ビットの概念図 （b）窒化物超伝導量子ビット回路の光学顕微鏡写真 （c）窒化物超伝導量子ビット（一部）の電子顕微鏡写真と素子の断面図 （d）エピタキシャル成長させた窒化物ジョセフソン接合の透過型電子顕微鏡写真

【図1】（a）マイクロ波共振器と量子ビットの概念図 （b）窒化物超伝導量子ビット回路の光学顕微鏡写真 （c）窒化物超伝導量子ビット（一部）の電子顕微鏡写真と素子の断面図 （d）エピタキシャル成長させた窒化物ジョセフソン接合の透過型電子顕微鏡写真

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【図1】（a）マイクロ波共振器と量子ビットの概念図 （b）窒化物超伝導量子ビット回路の光学顕微鏡写真 （c）窒化物超伝導量子ビット（一部）の電子顕微鏡写真と素子の断面図 （d）エピタキシャル成長させた窒化物ジョセフソン接合の透過型電子顕微鏡写真
【図2】コヒーレンス時間の測定結果 （a）エネルギー緩和時間T1＝18.25μsと（b）位相緩和時間T2＝23.20μsが得られた

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