2019.12.18 スタンレー電気が米ヘキサテックを子会社化　深紫外LED、窒化アルミ半導体基板事業を強化

AlN半導体基板を用いた深紫外LED

　スタンレー電気は、殺菌能力の高い265ナノメートルの波長で世界最高レベルの深紫外LEDにおけるキーデバイスである、窒化アルミニウム（AlN）半導体基板の開発・製造・販売を行っている米国ヘキサテックの株式を取得し、子会社とする。

　ヘキサテックは、深紫外LEDのキーデバイスとなる窒化アルミニウム結晶をグレインフリー（無欠陥）で大口径化を実現した世界トップレベルの企業。スタンレー電気は、既に深紫外LEDで50mWの出力を実現してい...　　(つづく)