2019.12.18 スタンレー電気が米ヘキサテックを子会社化 深紫外LED、窒化アルミ半導体基板事業を強化

AlN半導体基板を用いた深紫外LED

 スタンレー電気は、殺菌能力の高い265ナノメートルの波長で世界最高レベルの深紫外LEDにおけるキーデバイスである、窒化アルミニウム(AlN)半導体基板の開発・製造・販売を行っている米国ヘキサテックの株式を取得し、子会社とする。

 ヘキサテックは、深紫外LEDのキーデバイスとなる窒化アルミニウム結晶をグレインフリー(無欠陥)で大口径化を実現した世界トップレベルの企業。スタンレー電気は、既に深紫外LEDで50mWの出力を実現してい...  (つづく)