2022.07.26 東芝D＆Sの新世代SiC MOSFET低オン抵抗で損失大幅削減

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b）同社第二世代SiC MOSFETのRon*Qgdを1とした場合の、今回開発した1.2kVのSiC MOSFETと他社のSiC MOSFETとのRon*Qgdの比較

b）同社第二世代SiC MOSFETのRon*Qgdを1とした場合の、今回開発した1.2kVのSiC MOSFETと他社のSiC MOSFETとのRon*Qgdの比較

RonAとRon*Qgdの削減結果（同社調べ） （a）同社第二世代SiC MOSFETのRonAを1とした場合の、今回開発した1.2kVのSiC MOSFETと他社のSiC MOSFETとのRonAの比較
b）同社第二世代SiC MOSFETのRon*Qgdを1とした場合の、今回開発した1.2kVのSiC MOSFETと他社のSiC MOSFETとのRon*Qgdの比較

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