2022.07.26 東芝D＆Sの新世代SiC MOSFET低オン抵抗で損失大幅削減

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC（炭化ケイ素）MOSFETを発表した。信頼性向上やコストなどの課題に対応、窒素を注入するなどの新しい手法を開発し、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失（スイッチング損失）を、同社の第2世代SiC MOSFET製品と比べ約20％削減できる。8月下旬からの量産を予定し、主に再生可能エネルギー関連などへの提供を想定している。

...　　(つづく)