テキサス・インスツルメンツ（TI）は16日、強化絶縁型ゲートドライバー「UCC5880-Q1」を発表した。

　SiC（炭化ケイ素）MOSFETのスイッチング損失を最小限に抑え、効率改善を可能にする。

　EV（電気自動車）の信頼性や電力性能を向上させ、航続距離を延長させるには、直流から交流へ高電圧を変換して車両を駆動させる「トラクションインバーター」の改善が不可欠となる。

　ただ、同社によれば、現行のトラクションインバーターの大半はすでに「90％以上の効率で動作」しており、「これ以上の高効率性を実現するのは非常に難しい課題」とする。

　UCC5880-Q1は、より効率的なトラクションインバーターを設計するのにエンジニアが直面する課題に応えるために開発。

　MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフを切り替えるゲートドライブ能力を20A～5Aの単位でリアルタイムに可変。SICのスイッチング損失を2％減少させることができる。

　この効率改善により、EV充電の1回当たりの航続距離は最大11.2キロメートル延長できるという。1週間に3回充電する場合、1年で最大1600キロメートルの航続距離延伸が可能になる計算だ。