2023.05.17 TIがSiCゲートドライバー 損失改善でEVの距離延伸 1年で最大1600キロメートルの延長が可能
UCC5880-Q1の評価基板
テキサス・インスツルメンツ（TI）は16日、強化絶縁型ゲートドライバー「UCC5880-Q1」を発表した。SiC（炭化ケイ素）MOSFETのスイッチング損失を最小限に抑え、効率改善を可能にする。
EV（電気自動車）の信頼性や電力性能を向上させ、航続距離を延長させるには、直流から交流へ高電圧を変換して車両を駆動させる「トラクションインバーター」の改善が不可欠となる。
同社のマーク・イング・ゼネラル・マネー... (つづく)
