2024.03.06 韓国サムスンが業界初の36ギガバイト品開発 広帯域幅メモリー「HBM3E 12H」
業界初の36ギガバイト HBM3E 12H DRAMを開発
韓国サムスン電子は、業界初の36ギガバイトの第5世代「HBM3E 12H」DRAMを開発し、高容量HBM（広帯域幅メモリー）市場をいち早く先取りする狙いだ。
今回開発したDRAMのサンプルを顧客に提供し始めており、上半期に量産する予定だという。
同社は、24ギガビット DRAMチップをシリコン貫通電極（TSV）技術で12段まで積層し、業界最大容量の36ギガバイトを実現した。TSVは数千個の微細な穴を開け... (つづく)
