2024.03.06 韓国サムスンが業界初の36ギガバイト品開発 広帯域幅メモリー「HBM3E 12H」

業界初の36ギガバイト HBM3E 12H DRAMを開発

 韓国サムスン電子は、業界初の36ギガバイトの第5世代「HBM3E 12H」DRAMを開発し、高容量HBM(広帯域幅メモリー)市場をいち早く先取りする狙いだ。

 今回開発したDRAMのサンプルを顧客に提供し始めており、上半期に量産する予定だという。

 同社は、24ギガビット DRAMチップをシリコン貫通電極(TSV)技術で12段まで積層し、業界最大容量の36ギガバイトを実現した。TSVは数千個の微細な穴を開け...  (つづく)