2020.06.04 【パワーデバイス技術特集】名古屋工業大学がパワーデバイス材料SiCの表面への電流の流れ数値化に成功

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［図3］表面への電気の流れを数値化したもの（縦軸のS：表面再結合速度。横軸は温度の逆数。温度が上がるとSの値が上がる）

［図3］表面への電気の流れを数値化したもの（縦軸のS：表面再結合速度。横軸は温度の逆数。温度が上がるとSの値が上がる）

［図1］高耐圧SiCパワーデバイス構造の一例（電流を運ぶ電子と正孔が表面に向かい、表面再結合という現象で電子と正孔が消滅し、本来パワーデバイスの外に流したい電流が失われる。表面再結合現象は避けられないが、それを数値化することで、パワーデバイス構造の設計を最適化できる）
［図2］SiC結晶の構造と表面の関係を示す図（SiC結晶は六方晶という六角柱の構造をしており、六角柱の底面がSi面とC面、側面がm面、m面と直行する面がa面と呼ばれる）
［図3］表面への電気の流れを数値化したもの（縦軸のS：表面再結合速度。横軸は温度の逆数。温度が上がるとSの値が上がる）

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