2020.06.17 ロームが1200V第4世代SiC MOSFETオン抵抗を40％低減
ロームの業界トップの低オン抵抗を実現した第4世代SiC MOSFET
ロームは、業界トップの低オン抵抗を実現した1200V第4世代SiC MOSFETを開発した。
単位面積当たりのオン抵抗を同社従来1200V品より約40％低減。主機インバータの車載パワートレインシステムや産業機器向け電源用の需要に応える。
6月からベアチップのサンプル出荷を始め、8月以降、TO2473L（3端子）／4L（4端子）などのディスクリートパッケージでサンプル出荷を開始する。
... (つづく)
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