2026.11.12 独インフィニオン、世界初の300ミリのSiCパワー半導体を実用製造　EV・AI向け供給拡大へ

＜
インフィニオンの各種300ｍｍウエハー（左からシリコン、SiC、 GaN）

インフィニオンの各種300ｍｍウエハー（左からシリコン、SiC、 GaN）

300ｍｍのSiCパワー半導体ウエハーを手にするインフィニオン・テクノロジーズのヨッヘン・ハネベックCEO
インフィニオンの各種300ｍｍウエハー（左からシリコン、SiC、 GaN）

▶記事本文へ