独インフィニオン・テクノロジーズは9日、世界で初めて300ｍｍのシリコンカーバイド（SiC）ウエハー上にパワー半導体を製造し、機能動作を確認したと発表した。オーストリア・フィラッハの量産工場で既存のシリコン製造設備を活用して実現したもので、次世代パワー半導体の量産化に向けた重要な技術的節目となる。 同社は10月、フィラッハの工場近郊に2027年末操業開始をめどに300ｍｍのGaN（窒化ガリウム）ウエハー工場の新設計画を発表している。