2026.11.12 独インフィニオン、世界初の300ミリのSiCパワー半導体を実用製造 EV・AI向け供給拡大へ
300ｍｍのSiCパワー半導体ウエハーを手にするインフィニオン・テクノロジーズのヨッヘン・ハネベックCEO
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