2020.09.25 キオクシア「恩賜発明賞」を受賞超高密度3次元フラッシュメモリ構造とその製造方法の発明
キオクシア（旧東芝メモリ）は24日、令和2年度全国発明表彰(主催＝発明協会)において、「超高密度3次元フラッシュメモリ構造とその製造方法の発明」が最高位の賞である「恩賜発明賞」を受賞したと発表した。
受賞したのは、先端メモリ開発センターグループ長の鬼頭傑氏ら6人。早坂伸夫社長も発明実施功績賞を受賞した。
フラッシュメモリーは、スマートフォンやデータセンターなど、データを保存する様々な用途で使用されている... (つづく)
