2020.10.22 東芝デバイス＆ストレージ耐圧1200VのSiC MOSFET

東芝デバイス＆ストレージのSiC MOSFET

　東芝デバイス＆ストレージは、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド（SiC）を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始した。

　新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン（Si）MOSFETや絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現している。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献...　　(つづく)