2020.11.11 三菱電機がSiC-MOSFETスイッチング損失30％低減

SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ

　三菱電機は、パワー半導体の新製品としてパワー半導体・SiC-MOSFET「1200V-Nシリーズ T0-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を始めた。TO-247-4パッケージの採用で、従来品と比べてスイッチング損失を約30％低減し、高電圧での電力変換を要する車載充電器や太陽光発電機などの様々な電源システムの低消費電力化・小型化をサポートする。

　省エネおよび環境保護の観点から、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半...　　(つづく)