2021.04.08 150V耐圧GaN HEMTでロームがゲート・ソース間の耐圧8V実現

ゲート・ソース定格電圧8Vの150V GaN HEMT

　ロームは、150V耐圧のGaN（窒化ガリウム）HEMT（高電子移動度トランジスタ）で、ゲート・ソース定格電圧を業界最高の8Vまで高める独自のゲート耐圧技術を開発した。ゲート駆動電圧5Vの200V耐圧以下のGaNデバイスで電圧マージンを3倍に広げ、これまでのGaNデバイスでオーバーシュート電圧が発生してもGaNデバイス劣化が起きないようにした。また、実装しやすく放熱性に優れた専用パッケージも開発し、同社初のGaNパワーデバイスとしてオン抵抗40mΩ...　　(つづく)