2021.12.21 ムーアの法則の限界に挑む米IBMと韓国サムスンが超微細化技術で
VTFETのイメージ(出所=IBM)
新構造の垂直型トランジスタアーキテクチャー「VTFET」
米IBMと韓国サムスン電子はこのほど、新構造の垂直型トランジスタアーキテクチャー「VTFET」を発表した。2ナノメートル以降の超微細化に向けた技術で、現行の微細化されたFinFETアーキテクチャーに比べてエネルギー使用量を85%削減できる可能性があるとしている。 (つづく)
VTFETのイメージ(出所=IBM)
新構造の垂直型トランジスタアーキテクチャー「VTFET」
米IBMと韓国サムスン電子はこのほど、新構造の垂直型トランジスタアーキテクチャー「VTFET」を発表した。2ナノメートル以降の超微細化に向けた技術で、現行の微細化されたFinFETアーキテクチャーに比べてエネルギー使用量を85%削減できる可能性があるとしている。 (つづく)
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