2021.12.21 ムーアの法則の限界に挑む米IBMと韓国サムスンが超微細化技術で

VTFETのイメージ（出所＝IBM）

新構造の垂直型トランジスタアーキテクチャー「VTFET」

　米IBMと韓国サムスン電子はこのほど、新構造の垂直型トランジスタアーキテクチャー「VTFET」を発表した。2ナノメートル以降の超微細化に向けた技術で、現行の微細化されたFinFETアーキテクチャーに比べてエネルギー使用量を85％削減できる可能性があるとしている。...　　(つづく)