2022.09.01 ルネサスが新世代シリコンIGBT xEV向けインバーター用 第1弾で750V耐圧300A品 来年上期から量産開始予定
ルネサス エレクトロニクスは、xEV(電動車)向けのインバーター用パワー半導体として、新世代プロセスのシリコンIGBT(AE5)を開発した。
第1弾となる750V耐圧、300A製品のサンプル出荷を開始した。2023年上期に那珂工場(茨城県ひたちなか市)の200ミリメートル、300ミリメートルラインで量産開始する。
甲府工場でも量産 <... (つづく)
ルネサス エレクトロニクスは、xEV(電動車)向けのインバーター用パワー半導体として、新世代プロセスのシリコンIGBT(AE5)を開発した。
第1弾となる750V耐圧、300A製品のサンプル出荷を開始した。2023年上期に那珂工場(茨城県ひたちなか市)の200ミリメートル、300ミリメートルラインで量産開始する。
甲府工場でも量産 <... (つづく)
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