2022.10.21 住友電工　世界初のGaN-HEMT開発　Hf系高耐熱高誘電材料を適用　〝ポスト5G〟見据える

　住友電気工業は、さらなる大容量・高速通信を実現する〝ポスト5G〟を見据え、GaN結晶にN極性を、そしてゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ（GaN-HEMT）を開発した。

　GaN-HEMTは5Gに代表される高周波増幅器用途に広く用いられている。将来の〝ポスト5G〟においては、データ伝送量を増やすために、通信機器内で使われるトランジスタには高出力化・高周波化に対応するこ...　　(つづく)