2022.12.13 ロームの第4世代SiC MOSFETとゲートドライバーIC EV用インバーターに、日立アステモが採用
ロームの第4世代SiC MOSFET（左）とゲートドライバーIC
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETおよびゲートドライバーICが日立製作所の自動車部品子会社日立Astemo（アステモ）の電気自動車用インバーターに採用された。
自動車向けインバーターの性能向上に取り組む日立アステモが、メインインバーター回路部に短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現。車載インバーター搭載時には、従来のIGBT比で6％の電費を改善できるロームの第4世代SiC MOSFETを採用す... (つづく)
