米ニューヨーク州は11日、次世代半導体開発強化のため、IBMや東京エレクトロンなどと共同で、100億ドル(約1兆4600億円)を投じる計画を発表した。州内の産官学の半導体研究拠点に、クリーンルームなどを備えた新たな研究施設(約4600平方メートル)を設け、オランダのASMLから最先端の機器を導入。AIなどに欠かせない次世代半導体の開発を進める。

　パートナーシップには、IBMや東京エレクトロンのほか、米マイクロン・テクノロジー、アプライドマテリアルズも参加する。同州が10億ドルを負担し、残りを企業側が拠出する計画。

　(13日の電波新聞／電波新聞デジタルで詳報予定です)