2024.06.14 東芝D＆S、1200V耐圧SiC MOSFETモジュールを拡充　産機を高効率化・小型化

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETチップを搭載した1200V耐圧、ドレイン電流（DC）定格400AのSiC MOSFETモジュール「MG400Q2YMS3」を製品化、ラインアップを拡充した。

　新製品は、ドレイン・ソース間オン電圧（センス端子）を0.9V（typ.）とし、低導通損失を実現。また、ターンオンスイッチング損失とターンオフスイッチング損失をとも...　　(つづく)