2020.08.11 自己消費電流、わずか75mAルネサス、4G／5Gインフラシステム用3ミリ角RFアンプ

超低自己消費電流、高ゲインのRFアンプ「F1490」

　ルネサスエレクトロニクスは、自己消費電流がわずか75mAの4G／5Gインフラシステム向けRFアンプ「F1490」のサンプル出荷を開始した。

　同製品は、第2世代の高ゲイン、2ステージ構成のRFアンプで、1.8ギガヘルツから5.0ギガヘルツの主要なサブ6ギガヘルツの第5世代高速通信規格5G周波数帯域をカバー。トランスミッタ（Tx）製品の選択を簡素化し、より大きいマージンを持ってゲインブロックを置き換えられる。

　　(つづく)