2020.09.17 【新技術】SiC中の電気特性分布、３μｍの分解能で測定名古屋工大の研究グループが技術確立

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［図2］測定したサンプルの断面構造図。n＋型基板の上にn＋型→n型→p型→p＋型という構成で、ダイオードとして機能する。（b）のサンプルではn型領域の中にバナジウム（V）のある層（N／V ドープ層）を入れており、ダイオードの性能を上げている

［図2］測定したサンプルの断面構造図。n＋型基板の上にn＋型→n型→p型→p＋型という構成で、ダイオードとして機能する。（b）のサンプルではn型領域の中にバナジウム（V）のある層（N／V ドープ層）を入れており、ダイオードの性能を上げている

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［図1］高い空間分解能でSiCの電気特性を測定する装置の概念図
［図2］測定したサンプルの断面構造図。n＋型基板の上にn＋型→n型→p型→p＋型という構成で、ダイオードとして機能する。（b）のサンプルではn型領域の中にバナジウム（V）のある層（N／V ドープ層）を入れており、ダイオードの性能を上げている
［図3］（a）バナジウムを入れたサンプルでのバナジウムの量の深さ分布。X＝0が図2のp＋型の表面であり、表面から深さ22－33マイクロメートルの位置に11マイクロメートルの幅でバナジウムが入っていることがわかる。（b）電子と正孔が消える速さを示す1／eライフタイムの深さ分布。挿入図はバナジウムを入れた層周辺の詳細な1／eライフタイム深さ分布。バナジウムの入っている深さ22－33マイクロメートルの位置で、1／eライフタイムが小さくなっていることがわかる。また、1／eライフタイムが均一な位置から極小値の位置までの距離から、空間分解能が3マイクロメートルであることがわかる

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