2019.11.07 【パワーデバイスと電源 次世代パワー半導体技術特集】三菱が独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC－MOSFET

（図1）従来のプレーナー型SiC－MOSFETの断面構造図（左）と開発したトレンチ型SiC－MOSFETの断面構造図（右）

（図1）従来のプレーナー型SiC－MOSFETの断面構造図（左）と開発したトレンチ型SiC－MOSFETの断面構造図（右）

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（図1）従来のプレーナー型SiC－MOSFETの断面構造図（左）と開発したトレンチ型SiC－MOSFETの断面構造図（右）
（図2）本開発における電界緩和構造などの製造方法
（図3）開発したトレンチ型SiC－MOSFETの断面構造俯瞰図

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