2019.11.07 【パワーデバイスと電源 次世代パワー半導体技術特集】三菱が独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFET

(図1)従来のプレーナー型SiC-MOSFETの断面構造図(左)と開発したトレンチ型SiC-MOSFETの断面構造図(右)

【はじめに】
 家電製品から産業機器、自動車、鉄道車両など幅広い分野で使用されるパワーエレクトロニクス機器では、さらなる省エネ化・小型化・高効率化が求められている。

 これらの機器の電力制御や電力変換を行うパワー半導体モジュールに搭載されるパワー半導体素子を従来のSi-IGBTから電力損失がより少ないSiC-MOSFETに切り替える動きが広がっている。

 SiC-MOSFETは多くの...  (つづく)