2019.11.07 【パワーデバイスと電源 次世代パワー半導体技術特集】三菱が独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC－MOSFET
（図1）従来のプレーナー型SiC－MOSFETの断面構造図（左）と開発したトレンチ型SiC－MOSFETの断面構造図（右）
【はじめに】
家電製品から産業機器、自動車、鉄道車両など幅広い分野で使用されるパワーエレクトロニクス機器では、さらなる省エネ化・小型化・高効率化が求められている。
これらの機器の電力制御や電力変換を行うパワー半導体モジュールに搭載されるパワー半導体素子を従来のSi-IGBTから電力損失がより少ないSiC-MOSFETに切り替える動きが広がっている。
SiC-MOSFETは多くの... (つづく)
