2022.07.26 東芝D&Sの新世代SiC MOSFET低オン抵抗で損失大幅削減
RonAとRon*Qgdの削減結果(同社調べ) (a)同社第二世代SiC MOSFETのRonAを1とした場合の、今回開発した1.2kVのSiC MOSFETと他社のSiC MOSFETとのRonAの比較
RonAとRon*Qgdの削減結果(同社調べ) (a)同社第二世代SiC MOSFETのRonAを1とした場合の、今回開発した1.2kVのSiC MOSFETと他社のSiC MOSFETとのRonAの比較