2022.12.28 STマイクロとSoitecSiCがウエハー製造技術で協力 200ミリウエハーに移行めざす
STマイクロエレクトロニクスと、革新的な半導体材料の開発・製造を行う仏Soitecは、SiC（炭化ケイ素）ウエハー製造技術で協力すると発表した。STはSoitecのSiCウエハー製造技術の認証作業を今後18カ月間で実施する予定。Soitec独自のSmartSiCを、将来的な200ミリメートルウエハー製造に採用し、中期的な量産をすることで、デバイスやモジュールの増産を目指すとしている。
SiCは優れた特性を備えた革新的な化合物... (つづく)
