2023.02.06 ルネサスがxEVのインバーター向けゲートドライバーIC

xEVのインバーター向けゲートドライバーIC

　ルネサスエレクトロニクスは、xEV（電動車）のインバーターに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ）やSiC（炭化ケイ素）MOSFET駆動用のゲートドライバーIC「RAJ2930004AGM」を開発、サンプル出荷を開始した。量産は2024年第1四半期を予定している。

　新製品は、xEVバッテリーの高電圧化に対応すべく、絶縁耐圧を従来品の2.5kVrmsから3.75kVrmsまで強化したことにより、1200V耐圧...　　(つづく)