2025.05.26 321層1Tb TLC方式4D NAND型フラッシュをベース　韓国SKハイニックスがモバイル用メモリーソリューション開発

321層1テラビット TLC 4D NAND型フラッシュをベースにしたモバイル用メモリーソリューション「UFS 4.1」

電力効率改善、0.85ミリに最薄化

　韓国の半導体大手SKハイニックスは22日、世界最高層の321層1テラビット TLC（トリプルレベルセル）方式4D NAND型フラッシュをベースとしたモバイル用メモリーソリューション「UFS 4.1」を開発したと明らかにした。

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　最...　　(つづく)